Objetivos de pulverización catódica de óxido de zinc y aluminio

Objetivos de pulverización catódica de óxido de aluminio y zinc Con el desarrollo de películas conductoras transparentes, los objetivos AZO (Al2O3-ZnO), que pueden reemplazar al ITO, han sido ampliamente utilizados. La película conductora transparente AZO tiene una banda prohibida de 3,4 eV y un límite de absorción intrínseco de 360 nm, que se puede utilizar como material de capa de ventana para baterías de película fina-. Su característica de brecha de banda ancha puede reducir la absorción de luz por las regiones dopadas de tipo p, n-y mejorar la tasa de utilización de la energía de la luz. Al mismo tiempo, la película conductora transparente AZO tiene baja resistividad y alta transmisión de luz visible, lo que la convierte en un buen material de capa frontal transparente. Al mismo tiempo, AZO también tiene las características de alta estabilidad de plasma, tecnología de fácil preparación y materias primas no-tóxicas e inocuas, lo que hace que AZO se use más ampliamente en el campo de las células solares de película delgada.

Imagen de objetivos de pulverización catódica de óxido de aluminio y zinc:

Aluminum Zinc Oxide Sputtering Targets

AZO Sputtering Target

Nuestra empresa puede proporcionar a los clientes objetivos AZO de alta-pureza, alta-densidad y uniformemente organizados, así como el servicio de unión de objetivos AZO y backplanes.

Tipo	nombre del producto	Fórmula	Pureza	Punto de fusion	Densidad (g/cc)	Formas disponibles
Óxidos	Óxido de aluminio	Al2O3	4N	2045	4	objetivo, partícula
	Óxido de bismuto (III)	Bi2O3	4N	820	8.9	objetivo, partícula
	Óxido de cromo (III)	Cr2O3	4N	2435	5.2	objetivo, partícula
	óxido de erbio	Er2O3	4N	2378	8.64	objetivo, partícula
	óxido de hafnio	HfO2	4N	2812	9.7	objetivo, partícula
	Óxido de indio y estaño	ITO	4N	1565	7.6	Objetivo
	Óxido de magnesio	MgO	4N	2800	3.58	objetivo, partícula
	pentóxido de niobio	Nb2O5	4N	1530	4.47	objetivo, partícula
	Óxido de neodimio (III)	Nd2O3	4N	2272	7.2	objetivo, partícula
	óxido de níquel	NiO	4N	1990	7.45	objetivo, partícula
	Óxido de escandio	Sc2O3	4N	2480	3.86	objetivo, partícula
	óxido de silicio	SiO	4N	1702	2.13	objetivo, partícula
	Dióxido de silicio	SiO2	4N	1610	2.2	Objetivo, Partícula, Cristal
	Óxido de samario (III)	Sm2O3	4N	2350	7.4	objetivo, partícula
	pentóxido de tantalio	Ta2O5	4N	1800	8.7	objetivo, partícula
	Dióxido de titanio	TiO2	4N	1800	4.29	objetivo, partícula
	Óxido de titanio (V)	Ti3O5	4N	1750	4.57	objetivo, partícula
	óxido de vanadio (V)	V2O5	4N	690	3.36	objetivo, partícula
	Óxido de itrio (III)	Y2O3	4N	2680	4.8	objetivo, partícula
	Óxido de zinc	ZnO	4N	1975	5.6	objetivo, partícula
	Óxido de zinc dopado con-aluminio	AZO	4N	\	5.4	Objetivo
	dióxido de circonio	ZrO2	4N	2700	5.5	objetivo, partícula
Fluoruro	fluoruro de bario	BaF2	4N	1280	4.8	objetivo, partícula
	Fluoruro de calcio	CaF2	4N	1360	3.13	objetivo, partícula
	fluoruro de cerio	CeF3	4N	1418	6.16	objetivo, partícula
	fluoruro de potasio	KF	4N	880	2.48	objetivo, partícula
	Fluoruro de lantano (III)	LaF3	4N	1490	6	objetivo, partícula
	Fluoruro de magnesio	MgF2	4N	1266	4.2	objetivo, partícula
	Fluoruro de sodio	NaF	4N	988	2.79	objetivo, partícula
Otros	titanato de bario	BaTiO3	4N	1620	3.96	objetivo, partícula
	titanato de estroncio	SrTiO3	4N	2080	5.12	objetivo, partícula
	sulfuro de zinc	ZnS	4N	1830	4.1	objetivo, partícula
	Nitrido de silicona	Si3N4	4N	sublimación	3.44	objetivo, partícula
	nitruro de titanio	Estaño	4N	2950	5.43	objetivo, partícula
	nitruro de aluminio	AlN	4N	sublimación	3.26	objetivo, partícula
	Nitruro de boro	BN	4N	3000	2.25	objetivo, partícula
	Carburo de silicio	Sic	4N	2700	3.22	Objetivo

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